侯祥胡
15 年+ 300mm半导体晶圆厂薄膜工艺积淀，PVD/ALD/ECP 全栈开发与良率提升，RRAM/TSV工艺开发，致力材料+设备国产化开疆拓土。
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现居：北京市 通州区
300mm晶圆制造
PVD / ALD / ECP
RRAM / TSV先进封装
制程开发 & 量产良率提升
国产化材料/设备验证
SPC / DOE / 数据分析
教育经历
北京科技大学｜材料科学与工程 硕士
2008 - 2011
- 新金属材料国家重点实验室，师从朱洁教授；课题：化合物半导体光伏薄膜材料制备工艺与性能分析(InGaN)
湖南科技大学｜材料科学与工程 学士
2004 - 2008
- 机电学院，师从郭世柏教授；课题：机械合金化制备Fe-Si-Al软磁合金
工作经历
金属薄膜工艺部｜技术专家
2022 - 2025
- 负责55RRAM工艺开发与验证，优化TaO/TaN/ALD HfO颗粒缺陷，提升良率，研发转量产累计出货晶圆2000片
- 主导55HV Ramlite PVD工艺开发与良率提升；优化BSA&ECP、污染物管控与OPC修正，良率80%→92%，累计量产5万片以上
- 主导国内首家全国产设备+国产材料2.5D TSV BSA&ECP工艺通线验证与量产，300mm晶圆累计出货5万片+
- 国产电镀铜添加剂迭代验证（6个版本），解决离线与在线数据偏差、缺陷适配；累计节约成本超100万美元，厘清蚀刻残留诱发电镀缺陷机理并落地方案
金属薄膜工艺部｜助理技术专家
2020 - 2021
- 产线质量问题攻关，优化退火工艺解决铜线山丘凸起缺陷；国产电镀添加剂前期评估导入验证
- 先进封装TSV阻挡层/种子层PVD、电镀机台导入、工艺搭建与验证
金属薄膜工艺部｜主任工程师
2019 - 2020
- 后段铜线大马士革PVD/ECP工艺维护、新平台工艺研发；电镀菜单优化，机台WPH提升15%，年增产晶圆360K
- 联合IT新增数十项制程监控参数，提前预警异常，每年规避大量晶圆报废，节约成本10万美金以上
- 优化电镀洗边宽度量测方案，检测产能提升300%，虚警下降50%，节省人力1~2人
金属薄膜工艺部｜助理主任工程师
2017 - 2019
- Sabre Next电镀制程维护、国产添加剂验证、新产品导入、量产工艺持续优化
金属薄膜工艺部｜工程师
2014 - 2017
- 300mm产线国内首家完成国产Cu/Ta靶材验证量产，每年节约靶材成本百万元；精通SPC、DOE实验设计
- 熟练使用JMP/Excel/R开展工艺数据分析；掌握VBA/SQL/R自动化批量数据处理
金属薄膜工艺部｜初级工程师
2011 - 2014
- 掌握各类PVD薄膜沉积原理、薄膜表征；熟悉AMAT ENDURA / Sabre Next 磁控溅射设备
重点项目
55RRAM工艺开发与验证 2024-2025
- 技术：PVD / ALD / ECP；成果：完成工艺开发验证，顺利研发转量产，支撑新型存储技术落地
55HV Ramlite PVD良率提升 2023-2024
- 技术：BSA+ECP、OPC优化；成果：良率80%提升至92%，稳定大规模量产
全国产2.5D TSV工艺开发 2021-2025
- 技术：TSV阻挡层/种子层PVD、电镀；成果：国内首套全国产平台实现TSV批量量产，推进半导体国产化
国产电镀铜添加剂验证优化 2022-2025
- 成果：多版本迭代完成产线适配，实现百万美元级持续降本，厘清关键缺陷形成机理
专业技能
主要成就
- 2016-2026累计培养输送12名半导体工艺人才
- 55HV Ramlite良率提升，创造显著量产效益
- 国产电镀添加剂项目节约成本超100万美元
- 国内率先完成全国产平台TSV工艺量产验证
- 电镀工艺优化，年增产晶圆360K片
- 国产Cu/Ta靶材导入，每年节省百万级采购成本
证书与奖项
- 部门年度突出贡献奖 ×2
- 公司级别贡献奖 ×1
- 开发区 爱岗敬业员工
其他能力
- Excel/VBA、R、Python、SQL、Linux
- DOE实验设计、数据可视化、自动化分析
- 标准化工艺文档编写、跨部门项目协调
自我评价
- 深耕300mm薄膜工艺十余年，兼具工艺研发、量产良率改善、国产化验证与团队管理经验；擅长PVD/ALD/大马士革电镀、RRAM存储、TSV先进封装工艺开发。
- 信奉业精于勤，注重数据驱动解决问题，坚持知行合一；擅长跨部门资源统筹，持续追求良率提升、产能释放与生产成本优化。保持长期自主学习习惯，重视人才培养与经验沉淀。